1、根据查询百度文库得知，莫特肖特基是一种用于判断半导体材料类型（p型或n型）的方法。在莫特肖特基测试中，样品与参比电极之间施加一定的电压，测量样品与参比电极之间的电流，以及电流与电压之间的关系。
2、莫特肖特p型n型看载流子，前面是正为p型，负为n型。载流子类型的判断实验上是通过霍尔效应来判断，通过测量得到的霍尔系数，系数大于0是p型，反之n型。载流子在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位被视为载流子。
3、另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
4、p型半导体的莫特肖特基曲线斜率大小说明分离效率。根据查询相关公开信息，电流越大，分离效率约好。n型还是p型半导体要用到莫特肖特基测试，曲线斜率为正就是n型，为负就是p型。
5、εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在电压轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。
6、平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。
1、频率设置为5HZ。M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
2、相反，如果切线斜率为负，意味着样品为p型半导体，此时Efb会位于价带Ecb之上，计算出的数值会相应减小。当正负斜率同时存在，可能暗示样品内部存在PN结异质结构。数据处理的艺术：解读M-S曲线 虽然不同方法得出的价带数值可能存在差异，这是正常现象，关键在于根据实际样品特性及审稿人的要求做出明智选择。
3、频率变化发生弥散现象。莫特肖特基曲线测试出现散点原因是频率变化发生弥散现象导致的，莫特-肖特基曲线测试（M-S测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率通常选择5-20kHz。
4、莫特肖特基曲线是切施主能级。莫特-肖特基（Mott-Schottky）技术是指在同一频率下从初始电位到最终电位按照阶跃电位大小进行扫描的一项技术，扫描过程中交流信号施加在每一段阶跃电位上。
5、负移：当平带电位向负方向移动时，表示半导体材料的导电性能降低，电子更难从价带跃迁到导带，从而降低了材料的电导率。在实际应用中，负移通常被认为是不利的，因为它会降低半导体器件的性能。总之，在莫特肖特基曲线中，平带电位的正移通常被认为是好的，因为它可以提高半导体器件的性能。
6、p型半导体的莫特肖特基曲线斜率大小说明分离效率。根据查询相关公开信息，电流越大，分离效率约好。n型还是p型半导体要用到莫特肖特基测试，曲线斜率为正就是n型，为负就是p型。
1、p型半导体的莫特肖特基曲线斜率大小说明分离效率。根据查询相关公开信息，电流越大，分离效率约好。n型还是p型半导体要用到莫特肖特基测试，曲线斜率为正就是n型，为负就是p型。
2、M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
3、相反，如果切线斜率为负，意味着样品为p型半导体，此时Efb会位于价带Ecb之上，计算出的数值会相应减小。当正负斜率同时存在，可能暗示样品内部存在PN结异质结构。数据处理的艺术：解读M-S曲线 虽然不同方法得出的价带数值可能存在差异，这是正常现象，关键在于根据实际样品特性及审稿人的要求做出明智选择。
